謝曉明，1965年1月生，江蘇省人。1985年畢業(yè)于武漢大學物理系，1990年在中國科學院上海冶金研究所獲博士學位，現(xiàn)為中國科學院上海冶金研究所研究員。他主要從事高溫超導體材料的基礎研究。在國際上率先將低頻內(nèi)耗方法用于陶瓷超導體的微結(jié)構研究，最早觀察到對應于正交相和四方相的兩個特征內(nèi)耗峰，得到了氧在不同位置的占有率和氧含量的關系。利用內(nèi)耗測試結(jié)果闡明了氧擴散機制，提出丁氧在Cu(1)-O基面躍遷規(guī)則，并求得擴散系數(shù)，為材料制備工藝提供了重要依據(jù)。這些成果達到國際先進水平，受到國內(nèi)外同行公認并被廠泛引用。
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