馮哲川，男，1944年12月出生，美籍華人，2014年以“杰出人才”層次引進(jìn)到廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院。畢業(yè)于美國(guó)匹茲堡大學(xué)，獲博士學(xué)位。具有30多年從事半導(dǎo)體材料和器件方面的豐富研究經(jīng)歷，曾工作于Emory，Singapore國(guó)立大學(xué)，美國(guó)喬治亞理工學(xué)院，EMCORE公司，Singapore材料研究及工程學(xué)院，和臺(tái)灣大學(xué)。2015年1月臺(tái)灣大學(xué)工作11年后退休，于3月受聘加入廣西大學(xué)物理學(xué)院為杰出教授，組建并領(lǐng)導(dǎo)光電子材料與探測(cè)技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（依托廣西相對(duì)論天體物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室）。 主要研究方向和領(lǐng)域著重于寬能隙半導(dǎo)體的多學(xué)科材料研究及奈米器件制程及研發(fā)，金屬氧化物化學(xué)氣相外延和其他技術(shù)長(zhǎng)晶及研究，表面科學(xué)，同步輻射，多學(xué)科檢測(cè)技術(shù)在光學(xué)/電子材料/結(jié)構(gòu)的應(yīng)用，計(jì)算機(jī)理論仿真寬能隙半導(dǎo)體及奈米結(jié)構(gòu)之光學(xué)和材料特性。希望對(duì)于以上復(fù)合材料的改進(jìn)提供貢獻(xiàn)，例如：探索不同的長(zhǎng)晶方法，研究生長(zhǎng)過(guò)程的缺陷和問(wèn)題，深入其物理機(jī)制和了解光學(xué)及結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)上的發(fā)現(xiàn)，探索新路徑以控制生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的缺陷，以制成高質(zhì)量的碳化硅、氮化物、氧化物和其他外延材料和器件。已出版9本關(guān)于先進(jìn)化合物半導(dǎo)體材料和微觀結(jié)構(gòu)、多孔硅、碳化硅和三族氮化物的英文專書，并有3本關(guān)于固態(tài)照明與LED及氮化物的英文專書將于2016年內(nèi)出版，發(fā)表文章600多篇，220多篇被SCI收錄，被引用次數(shù)超過(guò)3000次。