朱慧瓏，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員，博士生導(dǎo)師。 提出了多項(xiàng)提高芯片性能的核心技術(shù)方案，其中包括雙應(yīng)力薄膜（Dual Stress Liner）、應(yīng)力近臨技術(shù)（stress proximity technique）、減薄柵極的應(yīng)變MOSFET等； · 較系統(tǒng)地研究了鍺和銻在SixGe1-x體系中的擴(kuò)散現(xiàn)象，提出了新的數(shù)學(xué)模型及解析解法，并第一次給出了精確描述鍺和銻在SixGe1-x體系中擴(kuò)散系數(shù)的公式。2000年-2009年 IBM半導(dǎo)體研究和開發(fā)中心(SRDC), 位于紐約的Hopewell Junction。.提出了多項(xiàng)提高芯片性能的核心技術(shù)方案，其中包括雙應(yīng)力薄膜(Dual Stress Liner)、應(yīng)力近臨技術(shù)(stress proximity technique)、減薄柵極的應(yīng)變MOSFET等。較系統(tǒng)地研究了鍺和銻在SixGe1-x體系中的擴(kuò)散現(xiàn)象，提出了新的數(shù)學(xué)模型及解析解法，并第一次給出了精確描述鍺和銻在SixGe1-x體系中擴(kuò)散系數(shù)的公式。
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