蔡樹軍

河北半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng)

蔡樹軍研究員，美國(guó)UCLA電子工程系博士畢業(yè)，現(xiàn)任中國(guó)電科十三所科技委主任、副所長(zhǎng)，電子科技大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、北京理工大學(xué)兼職教授、博士生導(dǎo)師。長(zhǎng)期從事微波半導(dǎo)體器件研究工作。發(fā)表專業(yè)文章170余篇。

張乃千

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)

張乃千1995年清華大學(xué)電子工程系本科畢業(yè)，2002年在加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校獲得電子工程博士學(xué)位。他于2007年回國(guó)創(chuàng)辦了能訊半導(dǎo)體并任總裁。能訊是中國(guó)首家第三代半導(dǎo)體氮化鎵電子器件設(shè)計(jì)與制造商業(yè)企業(yè)，自主進(jìn)行氮化鎵外延生長(zhǎng)、晶圓制造、內(nèi)匹配與封裝等。

邱顯欽

臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)教授

邱教授2003年在臺(tái)灣中央大學(xué)電機(jī)系固態(tài)組取得博士學(xué)位后，加入了亞洲第一家六吋砷化鎵代工廠(現(xiàn)在世界最大砷化鎵器件代工廠)-穩(wěn)懋半導(dǎo)體。2004年加入臺(tái)塑集團(tuán)長(zhǎng)庚大學(xué)電子系進(jìn)行高速組件開發(fā)與毫米波集成電路設(shè)計(jì)并同時(shí)規(guī)劃建立長(zhǎng)庚大學(xué)化合物半導(dǎo)體無(wú)塵室及其相關(guān)半導(dǎo)體制程設(shè)備，2007年開始氮化鎵高功率組件與高功率電路技術(shù)開發(fā)，2010年取得正教授資格。2009年加入長(zhǎng)庚大學(xué)高速智能通訊研究中心并建立110GHz 高頻量測(cè)與建模能力的毫米波核心實(shí)驗(yàn)室，2013年建立四吋氮化鎵功率組件實(shí)驗(yàn)室開發(fā)氮化鎵功率晶體管與驅(qū)動(dòng)模塊，氮化鎵微波晶體管與模塊。2012年擔(dān)任長(zhǎng)庚大學(xué)高速智能通訊研究中心主任，來(lái)年也擔(dān)任長(zhǎng)庚大學(xué)光電所所長(zhǎng)。

Peter BRüCKNER ???

德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所部門技術(shù)部門經(jīng)理

Peter Brückner于2004年獲得烏爾姆大學(xué)電氣工程工學(xué)碩士學(xué)位。之后，他成為烏爾姆大學(xué)光電子學(xué)研究所的科研人員，致力于氮化鎵外延和獨(dú)立氮化鎵襯底領(lǐng)域的工學(xué)博士學(xué)位并于2008年獲得博士學(xué)位。2008至2010年他在United Monolithic Semiconductors做GaN HEMT技術(shù)研發(fā)工程師。2011年他加入德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所，現(xiàn)在的重心在short gate-length GaN HEMT on SiC技術(shù)發(fā)展上。他現(xiàn)在負(fù)責(zé)蝕刻技術(shù)組，并領(lǐng)導(dǎo)著若干IAF項(xiàng)目。

劉建利??

中興無(wú)線技術(shù)總工及技術(shù)委員會(huì)專家

劉建利，1989年7月畢業(yè)于西北工業(yè)大學(xué)無(wú)線電技術(shù)專業(yè)，在凌云電器總公司從事射頻電路研發(fā)，期間獲電子工業(yè)部科技進(jìn)步獎(jiǎng)，后赴日本進(jìn)修。1998年9月加入中興通訊，先后負(fù)責(zé)射頻無(wú)線收發(fā)信機(jī)、PHS基站射頻、WCDMA智能天線、基站射頻功放平臺(tái)等研發(fā)工作，歷任射頻研發(fā)工程師、系統(tǒng)工程師、項(xiàng)目經(jīng)理、西安研究所射頻開發(fā)室主任、中興通訊射頻功放平臺(tái)總工等職，目前作為無(wú)線技術(shù)總工及公司技術(shù)委員會(huì)專家主要負(fù)責(zé)無(wú)線技術(shù)的研究及對(duì)外合作工作。發(fā)表論文4篇，申請(qǐng)專利10余項(xiàng)，其中美國(guó)專利2項(xiàng)。

劉志宏 ??

西安電子科技大學(xué)教授

劉志宏，分別于2001、2004和2011年獲南開大學(xué)學(xué)士、中科院半導(dǎo)體所碩士和新加坡南洋理工大學(xué)博士學(xué)位。2007年加入新加坡南洋理工大學(xué)淡馬錫實(shí)驗(yàn)室，任職Research Associate，負(fù)責(zé)氮化鎵微波器件和MMIC制造技術(shù)的研發(fā)；2011年加入新加坡-麻省理工學(xué)院科研聯(lián)盟中心（SMART），任職 PostDoc Associate、Research Scientist和Principal Research Scientist，科研方向?yàn)楣杌夒娮悠骷?、氮化鎵與硅CMOS異質(zhì)集成等。2019年全職回國(guó)加入西安電子科技大學(xué)，任職教授。目前的研究方向?yàn)榈壍葘捊麕О雽?dǎo)體電子器件。

張凱

南京電子器件研究所高級(jí)工程師

張凱博士，于2014年畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院，2015年加入南京電子器件研究所微波毫米波單片集成與模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。他專注于探索創(chuàng)造新穎的、先進(jìn)的GaN器件，包括高線性GaN器件、太赫茲GaN器件以及Si基GaN微波毫米波器件等。目前為止，典型成果包括國(guó)際第一個(gè)具有優(yōu)異功率性能的GaN FinFET器件，國(guó)內(nèi)截止頻率最高的SiC襯底上GaN器件、國(guó)際整體性能最優(yōu)的Si基GaN高頻器件（以上結(jié)論依據(jù)源于已發(fā)表文章、會(huì)議等），成果曾經(jīng)兩次被Semiconductor Today雜志專題報(bào)道。

張志國(guó)

北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司副總經(jīng)理

張志國(guó)，博士、博士后、研究員，北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司副總經(jīng)理,具有十五年寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)和管理經(jīng)歷，是國(guó)內(nèi)較早在此領(lǐng)域開展研究人員之一。牽頭建立了國(guó)內(nèi)首個(gè)GaN微波功率器件工藝技術(shù)研發(fā)平臺(tái)，編寫了國(guó)內(nèi)首套研發(fā)工藝和檢驗(yàn)規(guī)范?；诖似脚_(tái)后續(xù)研制的GaN微波功率器件和芯片產(chǎn)值超億元。研制出國(guó)內(nèi)第一支瓦級(jí)GaN HEMT器件，第一支X波段GaN MMIC芯片，為后續(xù)規(guī)模應(yīng)用奠定工藝和理論基礎(chǔ)。開發(fā)了國(guó)內(nèi)首個(gè)X波段GaN MMIC工程化產(chǎn)品，形成詳細(xì)規(guī)范并在系統(tǒng)中進(jìn)行驗(yàn)證和試用。先后承擔(dān)和參與十幾項(xiàng)國(guó)家重大專項(xiàng)、北京市重大項(xiàng)目等，發(fā)表論文四十余篇。作為專家參與多項(xiàng)國(guó)家級(jí)和北京市寬禁帶半導(dǎo)體規(guī)劃工作。